NAND Flash快閃記憶體

    快閃記憶體將資料儲存在由浮閘電晶體組成的記憶單元陣列內,在單階儲存單元(Single-level cell, SLC)裝置中,每個單元只儲存1位元的資訊。而多階儲存單元(Multi-level cell, MLC)裝置則利用多種電荷值的控制讓每個單元可以儲存1位元以上的資料。

NOR Flash[編輯]

 
藉由熱電子注入寫入一個NOR Flash記憶單元(將其在邏輯上設為0)
 
藉由量子穿隧抹除一個NOR Flash記憶單元(將其在邏輯上設為1)