NAND Flash快閃記憶體

快閃記憶體將資料儲存在由浮閘電晶體組成的記憶單元陣列內，在單階儲存單元（Single-level cell, SLC）裝置中，每個單元只儲存1位元的資訊。而多階儲存單元（Multi-level cell, MLC）裝置則利用多種電荷值的控制讓每個單元可以儲存1位元以上的資料。